Nexperia PMBT2907AYSX
$ 0.071
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | PMBT2907AYSX | 1566 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | PMBT2907AYSX | 75.800 | 5085 | |||||||||
| Rochester Electronics | PMBT2907AYSX | 205.800 | 11h | |||||||||
| TME | PMBT2907AYSX | 308 | 1 | 1d | ||||||||
| DigiKey | 1727-2681-1-ND | 5079 | 1 | Cut Tape |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +10.46%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Nexperia PMBT2907AYSX.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Parti correlate
Diodes Inc.MMDT2907A-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.MMDT2907AQ-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DDC114EU-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
ToshibaRN1905,LF(CT
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
ToshibaRN1910,LF(CT
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di Nexperia PMBT2907AYSX fornite dai suoi distributori.
Bipolar (BJT) Transistors Array 2 PNP SOT363 (TSSOP6) Surface-Mounted Device
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
1.6V@ 50mA,500mA 2 PNP (Dual) 550mW 5V 10nA 60V 60V 600mA TSSOP-6 1mm
60 V, 600 mA, double PNP switching transistor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 6-Pin TSSOP T/R
Avnet Japan
TRANS, DUAL PNP, AEC-Q101, -60V, SOT-363; Transistor Polarity: Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -60V; Power Dissipation Pd: 400mW; DC Collector Current: -600mA; DC Current Gain hFE: 75hFE; Transistor Case Style: SOT-363; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Alias del produttore
Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +10.46%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTSSOP
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
hFE Min100
Max Collector Current600 mA
Max Power Dissipation250 mW
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Transition Frequency200 MHz
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità