Nexperia PEMD3,115

50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ
$ 0.118
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DistributorSKUMinPkg
VericalPEMD3,11512.0004K
TME
2
PEMD3.115891
23h
DigiKey
3
1727-6490-1-ND79291Cut Tape
AvnetPEMD3,115012K
4h
Arrow ElectronicsPEMD3,11504K

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Nexperia PEMD3,115.

Nexperia

Datasheet13 pagine3 anni fa
Datasheet18 pagine12 anni fa

IHS

TME

element14 APAC

Farnell

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
Restocked
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Supply Chain

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-05-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 3 years ago)

Parti correlate

NXP SemiconductorsPBSS5140V,115
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 5V 1A 500mW 150MHz
Dettagli
NXP SemiconductorsPBSS4140V,115
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Dettagli
NXP SemiconductorsPBLS4005V,115
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/40V 100mA/500mA 6-Pin SOT-666 T/R
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Nexperia PEMD3,115 fornite dai suoi distributori.

50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ
Nexperia
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Semicontronic
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-666 T/R
Avnet
Small Signal Digital (BRT) Transistor; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current, Ic:100mA; Base Input Resistor, R1:10kohm; Base-Emitter Resistor, R2:10kohm; Resistor Ratio, R1/R2:1 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:30; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-666; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:150mV; Current Ic Continuous a Max:10mA; Hfe Min:30; Package / Case:SOT-666; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
element14 APAC

Immagini

Nexperia
Newark
TME
RS
Future Electronics

Alias del produttore

Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)