Nexperia PDTC123YU,115

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
$ 0.031
Production
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Prezzo e stock

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
PDTC123YU,11510601Cut Tape
Arrow ElectronicsPDTC123YU,11589501
VericalPDTC123YU,1158950104
Rochester ElectronicsPDTC123YU,1153370
21h
Future ElectronicsPDTC123YU,11515.0003KTape & Reel

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Nexperia PDTC123YU,115.

IHS

Datasheet12 pagine2 anni fa
Datasheet11 pagine16 anni fa

Farnell

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+224%
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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Parti correlate

onsemiFJX3001RTF
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Dettagli
onsemiFJX3003RTF
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Dettagli
onsemiFJX3007RTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Dettagli
Diodes Inc.DDTC113ZUA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
Dettagli
Diodes Inc.DDTC123JUA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Dettagli
Diodes Inc.DDTC123EUA-7-F
DDTC123UA Series NPN 50 V 100 mA Digital Transistor Surface Mount - SOT-323-3
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Nexperia PDTC123YU,115 fornite dai suoi distributori.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
IHS
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm
Nexperia
PDTC123YU Series 50 V 100 mA SMT NPN Resistor-Equipped Transistor - SOT-323
Future Electronics
150mV@ 500¦ÌA,10mA NPN - Pre-Biased 200mW 5V 1¦ÌA 50V 50V 100mA SOT-323 2.2mm*1.35mm*1mm
UnikeyIC
Small Signal Digital (BRT) Transistor; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:2.2kohm; Base-Emitter Resistor R2:10kohm; Resistor Ratio, R1/R2:4.5 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
TRANS NPN W/RES 50V SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:35; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage Vces:150mV; Current Ic Continuous a Max:10mA; Hfe Min:35; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:200mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
element14 APAC

Immagini

Nexperia
RS
Farnell
Farnell
Newark
Future Electronics
TME
Rochester Electronics

Alias del produttore

Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • PDTC123YU 115
  • PDTC123YU,115.
  • PDTC123YU-115
  • PDTC123YU115
  • PDTC123YU@115