Nexperia PDTA123EU,115
$ 0.036
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | PDTA123EU,115 | 990 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | PDTA123EU,115 | 110.450 | 12500 | |||||||||
| Rochester Electronics | PDTA123EU,115 | 369.321 | 12h | |||||||||
| TME | PDTA123EU.115 | 3762 | 1 | 10h | ||||||||
| DigiKey | 1727-PDTA123EU,115CT-ND | 2924 | 1 | Cut Tape |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.16%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Nexperia PDTA123EU,115.
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DDTA143TUA-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DDTA113TUA-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiFJX4002RTF
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Diodes Inc.DDTC123JUA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
onsemiFJX3007RTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiFJX3001RTF
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Descrizioni
Descrizioni di Nexperia PDTA123EU,115 fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
PDTA123E Series 50 V 100 mA SMT PNP Resistor-Equipped Transistor - SOT-323
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R
150mV@ 500¦ÌA,10mA PNP - Pre-Biased 10V 1¦ÌA 50V 100mA SOT-323 2.2mm*1.35mm*1mm
BRT TRANSISTOR, PNP, -50V, -100MA, 2.2KOHM / 2.2KOHM, 3-SOT-323; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Continuous Collector Current Ic:-100mA; Base Input Resistor R1:2.2kohm; Base-Emitter Resistor R2:2.2kohm ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.16%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-323
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
hFE Min30
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Nexperia PDTA123EU,115.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità