Nexperia PBSS4240DPN,115

400MV@ 200MA, 2A, 530MV@ 200MA, 2A 1 NPN, 1 PNP 1.1W 5V 100NA 40V 40V 1.35A, 1.1A TSOP-6 1MM
$ 0.156
Production
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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
PBSS4240DPN,11514751Cut Tape
VericalPBSS4240DPN,1153687993
Arrow ElectronicsPBSS4240DPN,1153687993
TME
2
PBSS4240DPN.11541
6h
DigiKey
3
1727-3945-1-ND33441Cut Tape

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Nexperia PBSS4240DPN,115.

Future Electronics

Datasheet13 pagine16 anni fa

IHS

Farnell

Newark

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-45.33%
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Modelli CAD

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-02-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Parti correlate

onsemiMMBT6589T1G
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 500mA 2V 1A 540mW 100MHz
Dettagli
onsemiMBT35200MT2G
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 1.5A 1.5V 2A 1W 100MHz
Dettagli
NXP SemiconductorsPMD9010D,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Dettagli
NXP SemiconductorsPMD9003D,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Dettagli
NXP SemiconductorsPMD9002D,115
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 6-Pin TSOP T/R
Dettagli
NXP SemiconductorsPMD9050D,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 3-Element, NPN and PNP, Silicon
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Nexperia PBSS4240DPN,115 fornite dai suoi distributori.

400mV@ 200mA,2A,530mV@ 200mA,2A 1 NPN,1 PNP 1.1W 5V 100nA 40V 40V 1.35A,1.1A TSOP-6 1mm
Unikeyic (ICkey)
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 1.35A/1.1A 6-Pin TSOP T/R
Verical
PBSS4240DPN Series NPN/PNP 600mW 40 V 1.1/1.35 A Small Signal Transistor -SC-74
Future Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 1.35A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
IHS
40V 370mW 150MHz 1 NPN1 PNP +150¡Í@(Tj) SC-74 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
40 V low VCEsat NPN/PNP transistor
Nexperia
1350 mA 40 V 2 CHANNEL NPN AND PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Component Stockers USA
TRANSISTOR, SOT-457; Transistor Polarity: NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Power Dissipation Pd: 310mW; DC Collector Current: 1.35A; DC Current Gain hFE: 300hFE; Transistor Case Style: SOT-457; No. of Pins: 6P
Farnell
Bipolar Transistor Array; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N and P Channel; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1.1W; DC Collector Current:1.35A ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Immagini

Nexperia
element14 APAC
Newark
Farnell
Newark
TME
Future Electronics

Alias del produttore

Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • "PBSS4240DPN,115"
  • PBSS4240DPN 115
  • PBSS4240DPN115