Nexperia PBSS304NX,115

PBSS304NX Series 60 V 4.7 A SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-89
$ 0.461
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DistributorSKUMinPkg
TME
2
PBSS304NX.115451
15h
Newark
2
PBSS304NX,11501Cut Tape
AvnetPBSS304NX,11504K
4h
Future ElectronicsPBSS304NX,11501KTape & Reel
element14 APAC
3
PBSS304NX,11501Cut Tape
15h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Nexperia PBSS304NX,115.

IHS

Datasheet13 pagine2 anni fa
Datasheet15 pagine19 anni fa

Newark

Nexperia

TME

Farnell

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date2006-08-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Parti correlate

Diodes Inc.ZXTN2010ZTA
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
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ROHM2SD1834T100
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Diodes Inc.FCX491TA
FCX491 Series NPN 1 A 60 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-89
Dettagli
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onsemi2SD1624S-TD-E
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Dettagli
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Nexperia PBSS304NX,115 fornite dai suoi distributori.

PBSS304NX Series 60 V 4.7 A SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-89
Future Electronics
Trans GP BJT NPN 60V 4.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Verical
Power Bipolar Transistor, 4.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-243AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
245mV@ 235mA,4.7A NPN 2.1W 5V 100nA 60V 60V 4.7A SOT-89 4.6mm*2.6mm*1.6mm
UnikeyIC
60V 600mW 4.7A 115@6A2V 130MHz 170mV@4.7A235mA NPN +150¡Í@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ, ft:130MHz; Power Dissipation Pd:2.1W; DC Collector Current:4.7A; DC Current Gain Max (hfe):520 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
TRANS NPN 60V 4.7A SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:4.7A; DC Current Gain hFE:520; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:35mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:130MHz; Hfe Min:300; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:600mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)
element14 APAC

Immagini

Nexperia
Farnell
element14
RS
Newark
TME
Farnell
Future Electronics

Alias del produttore

Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • PBSS304NX 115
  • PBSS304NX115