Nexperia BCP53TX
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Production
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Distributori autorizzati
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.53%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Parti correlate
NexperiaBCP56-10TX
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
NexperiaBCP56-16TX
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Surface Mount
Diodes Inc.BCP5616QTA
Single Bipolar Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, 3 Pins, Surface Mount
onsemiBCP56-10T3G
General Purpose Transistor Medium Power, NPN 80 V, 1 A BJT - NPN, 80V, 1A. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
onsemiMMJT9435T3
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 125 @ 800mA 1V 3A 3W 110MHz
Descrizioni
Descrizioni di Nexperia BCP53TX fornite dai suoi distributori.
TRANS PNP 80V 1A SOT223 / Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 145MHz 1.35 W Surface Mount SOT-223
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
In a Pack of 100, Nexperia BCP53TX PNP Transistor, -1 A, -80 V, 3-Pin SC-73, SOT223
BCP53 Series 1 A SMT PNP Medium Power Transistor - SOT-223
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin SOT-223 T/R
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Nexperia PNPTransistor, SOT-223 (SC-73)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current-1 A, maximum collector-emission voltage-80 V
TRANSISTOR, BIPOLAR, AEC-Q101, PNP, -80V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:145MHz; Power Dissipation Pd:650mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:40hFE;
Alias del produttore
Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.53%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-261-4
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
hFE Min63
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Schedule B8541290080
Transition Frequency140 MHz
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità