Renesas CM200DU-24F

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Obsolete
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Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Renesas CM200DU-24F.

Newark

Datasheet4 pagine25 anni fa
Datasheet4 pagine24 anni fa

iiiC

ARCEL Power Electronics

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-07-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-06-28
LTD Date2020-03-28

Descrizioni

Descrizioni di Renesas CM200DU-24F fornite dai suoi distributori.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
POWER IGBT TRANSISTOR
standard package
Igbt Module, 1.2Kv, 200A; Transistor, Polaridad:Canal N; Corriente De Colector Dc:200A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):1.2Kv; Disipación De Potencia Pd:890W; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:1.2Kv; Núm. De Contactos:7 |Mitsubishi Electric CM200DU-24F

Alias del produttore

Renesas ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Renesas può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Renesas Electronics
  • Renesas Electronics America Inc
  • Renesas Electronics America
  • RENESA
  • REN
  • RENES
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP
  • RENESAS TECHNOLOGY
  • Renesas Electronics Corporation
  • RENESAS ELECTRONICS CORP
  • RENSAS
  • RENASAS
  • Renesas / Intersil
  • RNS
  • RENESAS-PB
  • RENESASTEC
  • RENESES
  • Renesas Technology America
  • Renesas Design Germany GmbH
  • Renesas / IDT
  • RENESASE
  • RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
  • Renesas Electronics Operations Services Limited
  • RENEASAS
  • RENESAS/M

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • CM200DU24F