Microchip VP3203N8-G
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Tendenza a 3 mesi: -22.18%
Modelli CAD
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Projected EOL Date2034-06-16
Country of AssemblyChina, Philippines, Taiwan
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginChina, Philippines, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 2 days ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMN10A07ZTA
ZXMN10A07Z Series 100 V 0.7 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
Diodes Inc.ZXMN6A11ZTA
ZXMN6A11Z Series 60 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
Diodes Inc.ZXMN6A07ZTA
N-Channel 60 V 0.25 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
NXP SemiconductorsAFT05MS004NT1
AFT05MSx Series 30 V 520 MHz N-Channel RF Power LDMOS Transistor - SOT-89-3
onsemiPCP1405-TD-H
MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89 / Trans MOSFET N-CH 250V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Descrizioni
Descrizioni di Microchip VP3203N8-G fornite dai suoi distributori.
1.6W(Ta) 20V 3.5V@10mA 1P 30V 600m¦¸@ 1.5A,10V 1.1A 300pF@25V SOT-89,TO-243AA 4.6mm*2.6mm*1.6mm
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA
Mosfet - P-Channel - 30V Vdss - 1.1A - 600Mohm @ 1.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs - ±20V Vgs - 1.6W Power Dissipation - To-243Aa - Rohs.
Alias del produttore
Microchip ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Microchip può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -22.18%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight52.786812 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Input Capacitance300 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità