Microchip VN2110K1-G
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Supply Chain
Projected EOL Date2034-11-25
Country of AssemblyThailand
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di Microchip VN2110K1-G fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Microchip NChannelMOSTube, Vds=100 V, SOT-23encapsulation, Through hole mounting
MOSFET, N-CH, 100V, 0.2A, SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 200mA; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.4V; Pow
Alias del produttore
Microchip ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Microchip può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +91.28%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Input Capacitance50 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation360 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation360 mW
Rds On Max4 Ω
Rise Time5 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time6 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Schede tecniche e documenti
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