Microchip JANTX2N5339
$ 10.032
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Distributore
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Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -26.73%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Microchip JANTX2N5339.
Supply Chain
Projected EOL Date2049-02-05
Country of AssemblyPhilippines
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.0080
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
Parti correlate
MicrochipJANTX2N5666S
200V 1.2A 5W Npn Power Bjt Tht To-39; |Microchip Technology JANTX2N5666S
onsemiFJPF5021OTU
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descrizioni
Descrizioni di Microchip JANTX2N5339 fornite dai suoi distributori.
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
2N5339 Series 100 V 5 A NPN Power Silicon Switching Transistor - TO-39
100V 5A 1W Npn Power Bjt Tht To-39; |Microchip Technology JANTX2N5339
Alias del produttore
Microchip ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Microchip può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -26.73%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-39
MountThrough Hole
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min60
HS Code8541.10.0080, 8541.29.0055
Max Collector Current5 A
Max Junction Temperature (Tj)200 °C
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Dimensions
Height6.6 mm
Schede tecniche e documenti
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