Microchip 2N3019
$ 12.965
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Projected EOL Date2049-02-05
Country of AssemblyPhilippines
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
Parti correlate
MicrochipJAN2N3019S
TRANS NPN 80V 1A TO39 Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39
MicrochipJANTX2N3019
TRANS NPN 80V 1A TO5 Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 800 mW Through Hole TO-5
Descrizioni
Descrizioni di Microchip 2N3019 fornite dai suoi distributori.
TRANS NPN 80V 1A TO5 Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 800 mW Through Hole TO-5
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin
2N3019 Series 80 V 1 A Through Hole NPN Silicon Transistor - TO-39
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag
500mV@ 500mA,50mA NPN 800mW 7V 10nA 140V 80V 1A TO-5 Through hole mounting 6.6mm(height)
80V 1A 800Mw Small-Signal Bjt Tht To-39 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology 2N3019
Alias del produttore
Microchip ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Microchip può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-5
MountThrough Hole
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)140 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
hFE Min50
HS Code8541.21.0095
Max Collector Current1 A
Max Junction Temperature (Tj)200 °C
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation800 mW
Schedule B8541210080
Dimensions
Height6.6 mm