MACOM CGHV96050F2
$ 890.234
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per MACOM CGHV96050F2.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2023-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Risorse di progettazione
Visualizza i kit di valutazione e i progetti di riferimento per MACOM CGHV96050F2.
Descrizioni
Descrizioni di MACOM CGHV96050F2 fornite dai suoi distributori.
50-W; 7.9 – 9.6-GHz; 50-ohm; Input/Output-Matched GaN HEMT
Wolfspeed
Aerospace & Defense, 40 V, 9.6 GHz, 50W, Flange, RoHS
Wolfspeed SCT
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET
Trans FET 100V 6A GaN HEMT 3-Pin Case 440210
Alias del produttore
MACOM ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. MACOM può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- MACOM Technology Solutions
- M/A COMM
- TYCO M/A-COM
- MACOM Technology Solutions Inc
- PICO MACOM
- M/A COM INC
- MNDSPEED
- M/A-COMO
- M/A-COM TECH SOLUTIONS
- Metelics (MACOM Technology Solutions)
- MACOM TECHNOLOGY
- TE/MACOM
- Omni Spectra / M/A-Com
- M/A-COM LTD
- M/A-COM Technology Soluti
- M/A-Com (Tyco - M/A-Com)
- MINDSPEED
- MACOM / SPECTRA
- MACOM/MINDSPEED
- M/A COM INTEGRATED
- MACOM (Metelics)
- MindspeedTechnologies
- MACOM Datasheet
- COBHAM PLC
- MICROMETRICS INC
- MA-COM
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Body MaterialCeramic
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Current Rating6 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Efficiency55 %
Frequency7.9 GHz
Gain10 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)-10 V
Max Frequency9.6 GHz
Max Junction Temperature (Tj)225 °C
Max Operating Temperature125 °C
Max Output Power50 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Power70 W
Test Current500 mA
Test Voltage40 V
Voltage Rating40 V
Dimensions
Height5.03 mm
Schede tecniche e documenti
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