MACOM CGH40010P
$ 90.136
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -20.39%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per MACOM CGH40010P.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2023-11-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Risorse di progettazione
Visualizza i kit di valutazione e i progetti di riferimento per MACOM CGH40010P.
Progetti di riferimento
Descrizioni
Descrizioni di MACOM CGH40010P fornite dai suoi distributori.
RF MOSFET HEMT 28V 440196 / RF Mosfet HEMT 28 V 200 mA 0Hz ~ 6GHz 14.5dB 12.5W 440196
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET
Aerospace & Defense, 28 V, 6 GHz, 10W, Pill, RoHS
Wolfspeed SCT
Trans RF MOSFET N-CH 120V 1.5A 3-Pin Case 440196
RF Power Field-Effect Transistor
Alias del produttore
MACOM ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. MACOM può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- MACOM Technology Solutions
- M/A COMM
- TYCO M/A-COM
- MACOM Technology Solutions Inc
- PICO MACOM
- M/A COM INC
- MNDSPEED
- M/A-COMO
- M/A-COM TECH SOLUTIONS
- Metelics (MACOM Technology Solutions)
- MACOM TECHNOLOGY
- TE/MACOM
- Omni Spectra / M/A-Com
- M/A-COM LTD
- M/A-COM Technology Soluti
- M/A-Com (Tyco - M/A-Com)
- MINDSPEED
- MACOM / SPECTRA
- MACOM/MINDSPEED
- M/A COM INTEGRATED
- MACOM (Metelics)
- MindspeedTechnologies
- MACOM Datasheet
- COBHAM PLC
- MICROMETRICS INC
- MA-COM
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -20.39%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Body MaterialCeramic
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage84 V
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Efficiency65 %
Gain14 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)-10 V
Max Frequency6 GHz
Max Junction Temperature (Tj)225 °C
Max Operating Temperature105 °C
Max Output Power10 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Power12.5 W
Power Dissipation14 W
Test Current200 mA
Test Voltage28 V
Voltage Rating28 V
Dimensions
Height3.17 mm
Schede tecniche e documenti
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