International Rectifier IRF7313
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Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Distributore
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Nessun dato disponibile
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-02-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descrizioni
Descrizioni di International Rectifier IRF7313 fornite dai suoi distributori.
30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC
HEXFET POWER MOSFET 30V Rds=0.029 Ω 6.5A SO-8
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:6.5A; On Resistance, Rds(on):29mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: No
Alias del produttore
International Rectifier ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. International Rectifier può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- I&R
- IRF
- IOR
- INT'L RECTIFIER
- INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- INTERNATIONAL RECTIF
- RECT
- INT RECTIFIER
- OMNIREL
- INTERNATIO
- INT RECT
- SEMCOR
- INTLRECT
- INTERNATIONA
- INTERNATIONAL R
- INTERNATIONAL MICROCIRCUITS
- InternationRectifer
- INTER RECTIFIER
- International Rectifier (IR)
- INTERNATI
- IR - International Rectifier
- INTERNATIONAL RECT
- INTERNATIONAL RECTIFIER SE
- INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC
- INTER REC
- IR
- International Rect.
Cronologia dell'inventario
Nessun dato disponibile
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Current Rating6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance650 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Elements2
PackagingBulk
Power Dissipation2 W
Rds On Max29 mΩ
Voltage Rating (DC)30 V
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità