Infineon SPW35N60C3FKSA1
$ 4.878
NRND
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +67.82%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-05-10
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTWA45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
InfineonSPW24N60C3FKSA1
Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
onsemiFCH099N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 37 A, 99 mΩ, TO-247
VishaySIHS36N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 36A, SUPER-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
VishaySIHG33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC / Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Descrizioni
Descrizioni di Infineon SPW35N60C3FKSA1 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 34.6A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AA
MOSFET, N, 600V, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34.6A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:313W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:34.6A; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:313W; Power Dissipation Pd:313W; Pulse Current Idm:103.8A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:650V; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Replacement for 600V CoolMOS C3 is 600V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 600V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +67.82%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)34.6 A
Current Rating34.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation313 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance100 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation313 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)650 V
Dimensions
Height21.1 mm
Length16.13 mm
Width5.21 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità