Novità: Trova i componenti corretti più velocemente con la nostra esperienza riprogettata

Scopri di più

Infineon SPD07N60C3ATMA1

SPD07N60C3 Series 650 V 0.6 Ohm 7.3 A CoolMOS Power Transistor - PG-TO-252
$ 1.16
EOL
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon SPD07N60C3ATMA1.

element14 APAC

Datasheet13 pagine21 anni fa

IHS

Farnell

DigiKey

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-85.72%

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon SPD07N60C3ATMA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
EE Concierge
SimboloImpronta
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-08-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Parti correlate

Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
STMicroelectronicsSTD10NM60ND
N-channel 600 V, 0.57 Ohm, 8 A, DPAK FDmesh(TM) II Power MOSFET
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
MOSFET Transistor, N Channel, 7.1 A, 550 V, 520 mohm, 10 V, 3 V
STMicroelectronicsSTD3NK60ZT4
Transistor MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R
onsemiFQD1N60TF
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Descrizioni

Descrizioni di Infineon SPD07N60C3ATMA1 fornite dai suoi distributori.

SPD07N60C3 Series 650 V 0.6 Ohm 7.3 A CoolMOS Power Transistor - PG-TO-252
POWER TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.3A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:7.3A; Package / Case:TO-252; Power Dissipation Pd:83W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Replacement for 600V CoolMOS C3 is 600V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 600V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SP001117774
  • SPD07N60C3