Infineon ISC011N06LM5ATMA1
$ 1.585
Production
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Distributore
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -4.23%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon ISC011N06LM5ATMA1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | SimboloImpronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Descrizioni
Descrizioni di Infineon ISC011N06LM5ATMA1 fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 288 A, 1.15 Milliohms, TDSON-FL, 8 Pins, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 288A I(D), 60V, 0.00115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon NChannel EnhancedMOSTube ISCseries, Vds=60 V, 288 A, SuperSO8 5 x 6encapsulation, surface mount, 8Pin
MOSFET, N-CH, 60V, 288A, TDSON;
60V, 295A, 1.15MOHM, N-CHANNEL, SuperSO8 FL
The ISC011N06LM5, Infineon's OptiMOS™ MOSFET in the SuperSO8 package extends the OptiMOS™ 5 and 3 product portfolio and enables higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance.Low reverse recovery charge (Qrr) improves the system reliability by providing a significant reduction of voltage overshoot, which minimizes the need for snubber circuits, resulting in less engineering cost and effort.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -4.23%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingTin
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)288 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation188 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Turn-Off Delay Time78 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità