Infineon IRLZ44ZSPBF
$ 1.56
Obsolete
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Distributore
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Nessun dato disponibile
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
Parti correlate
InfineonAUIRFZ44ZS
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
onsemiHUFA76432S3ST
130W(Tc) 3V@ 250¦ÌA 53nC@ 10V 1individualNChannel 60V 17m¦¸@ 59A,10V 1.765pF@25V D2PAK SMD mount
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRLZ44ZSPBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 51A;D2Pak;PD 80W;VGS +/-16V
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 80 W
Trans MOSFET N-CH 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, 55V, 51A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:51A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):13.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:80W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:51A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.87°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:13.5mohm; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:80W; Power Dissipation Pd:80W; Pulse Current Idm:204A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:55V; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Nessun dato disponibile
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)51 A
Current Rating51 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance13.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.62 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13.5 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation80 W
Rds On Max13.5 mΩ
Recovery Time32 ns
Resistance13.5 mΩ
Rise Time160 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità