Infineon IRL6372PBF
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
Scarica il simbolo Infineon IRL6372PBF, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Parti correlate
InfineonIRF7403TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 8.5A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF
VishaySI4830CDY-T1-GE3
Si4830CDY Series Dual N-Channel 30 V 20 mOhm 2.9 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRL6372PBF fornite dai suoi distributori.
Dual N-Channel 30 V 2.0 W 11 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
30V Dual N-Channel Low Logic Level HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Lead-Free package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC Tube
MOSFET Dual N-Ch 30V 8.1A HEXFET SOIC8
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 30V, 0.0179ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified MSL1; Dual N-Channel MOSFET | Target Applications: Battery Protection
MOSFET,NN CH,W DIODE,30V,8.1A,SO8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Continuous Drain Current Id:8.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Power Dissipation Pd:2W
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance17.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.02 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.1 V
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance17.9 mΩ
Package Quantity3800
Power Dissipation2 W
Rds On Max17.9 mΩ
Recovery Time20 ns
Resistance17.9 MΩ
Rise Time13 ns
Threshold Voltage1.1 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time5.9 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità