Infineon IRGS14C40LPBF

IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps | IGBT 430V 20A 125W D2PAK
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRGS14C40LPBF03200Bulk
15h
Farnell
2
IRGS14C40L01
1h
Microchip USAIRGS14C40L149600Tube
4d
Win Source
2
WS-IRGS14C40L21.00090
2h
Worldway Electronics
2
IRGS14C40L11.6007Tube
1h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRGS14C40LPBF.

ODG (Origin Data Global)

Datasheet12 pagine21 anni fa

IHS

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

onsemiISL9V3040S3ST
Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Dettagli
onsemiNGB18N40CLBT4
Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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onsemiNGB8202NT4G
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRGS14C40LPBF fornite dai suoi distributori.

IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps | IGBT 430V 20A 125W D2PAK
Win Source
IRGS14C40LPBF Series 430 V 14 A N-Channel Ignition IGBT - D2PAK-3
Future Electronics
Tube Surface Mount N-CHANNEL Single IGBT Transistor 1.75V @ 5V 14A 14A 125W 2.8ns
AAA CHIPS
Trans IGBT Chip N-CH 370V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Avnet
430V Low-Vceon Discrete IGBT in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Housing type: D2-PAK Collector-emitter breakdown voltage: 430 V Collector-emitter saturation voltage: 1.4 V Current release time: 2800 ns Power dissipation: 125 W
Distrelec
IGBT, D2PAK; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.4V; Power Dissipation Pd: 125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 430V; Transistor Case Style: TO-263; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Current
Farnell
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:20A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.75V; Power Dissipation, Pd:125W; Package/Case:TO-263 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:1.4V; Power Dissipation Pd:125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:430V; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:20A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Max:125W; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Rise Time:2.8ns; SMD Marking:GS14C40L; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:400V
element14 APAC

Immagini

Infineon
element14 APAC
Augswan
Distrelec
TME
DKO Electronshik
element14 APAC
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Farnell
Future Electronics
Distrelec
element14
Rochester Electronics
iiiC

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRFIRGS14C40LPBF
  • IRGS 14C40LPBF
  • IRGS14C40L
  • SP001533072