Infineon IRG4PH50UPBF
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-03-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2020-06-30
LTD Date2020-12-31
Parti correlate
InfineonIRG4PH50KPBF
Transistor; IGBT; TO-247 AB; 45 A (Max.); 1200 V (Max.); 200 W (Max.); -55 degC
InfineonAUIRG4PH50S
1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
LittelfuseIXDH20N120D1
IXDH20N120D1 Series 1200 V 38 A N-Channel High Voltage IGBT - TO-247AD
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRG4PH50UPBF fornite dai suoi distributori.
Transistor; IGBT; TO-247AC; 45 A (Max.); 1200 V (Min.); 200 W (Max.); -55 degC
IRG4PH50U Series N-Channel 1.2 kV 45 A Ultrafast Speed IGBT - TO-247AC
1200V UltraFast 5-40 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 2.78 V Current release time: 280 ns Power dissipation: 200 W
SINGLE IGBT, 1.2KV, 45A; Transistor Type; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:45A; Collector Emitter Voltage Vces:3.7V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous a Max:45A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:500ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:180A; Rise Time:15ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1.2kV
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage3.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current45 A
Current Rating45 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time500 ns
Max Collector Current45 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time200 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)1.2 kV
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.875 mm
Width5.3 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità