Infineon IRG4PC30UDPBF
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Obsolete
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-04-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
Parti correlate
InfineonIRG4PC30WPBF
IRG4PC30WPbF Series 600 V 23 A Insulated Gate Bipolar Transistor - TO247AC
onsemiFGH60N60SMD-F085
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRG4PC30UDPBF fornite dai suoi distributori.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.95 V Current release time: 80 ns Power dissipation: 100 W
Single Igbt, 600V, 23A, To-247Ac; Continuous Collector Current:23A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.52V; Power Dissipation:100W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRG4PC30UDPBF
IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:23A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Current Ic Continuous a Max:23A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:80ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:100W; Power Dissipation Pd:100W; Power Dissipation Pd:100W; Pulsed Current Icm:92A; Rise Time:21ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current23 A
Current Rating23 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time130 ns
Max Collector Current23 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation100 W
Reverse Recovery Time42 ns
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time91 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.875 mm
Width5.3 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità