Infineon IRFZ48ZSPBF
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Obsolete
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2017-10-12
LTD Date2018-04-12
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFZ48ZSPBF fornite dai suoi distributori.
IRFZ48ZSPBF N-channel MOSFET Transistor, 61 A, 55 V, 3-Pin D2PAK
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Trans MOSFET N-CH 55V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:61A; On Resistance, Rds(on):11mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, 55V, 61A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:61A; Resistance, Rds On:0.011ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Alternate Case Style:D2-PAK; Current, Idm Pulse:240A; Power Dissipation:91W; Power, Pd:91W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.011ohm; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.64°C/W; Voltage, Vds:55V; Voltage, Vds Max:55V; Voltage, Vgs th Max:4V
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)61 A
Current Rating61 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.72 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation91 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance11 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation91 W
Rds On Max11 mΩ
Recovery Time100 ns
Resistance11 MΩ
Rise Time69 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.652 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità