Infineon IRFZ48VSPBF
$ 1.56
Obsolete
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2017-10-12
LTD Date2018-04-12
Parti correlate
InfineonIRF1018ESPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 7.1Milliohms;ID 79A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20
InfineonIRFS3607PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 7.34 Milliohms;ID 80A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-2
STMicroelectronicsSTB60NF06T4
N-Channel 60V - 0.014Ohm - 60A - D2APK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFZ48VSPBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 72A;D2Pak;PD 150W;VGS +/-20V
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET, N, 60V, 72A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:72A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:72A; Junction to Case Thermal Resistance A:1°C/W; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:150W; Power Dissipation Pd:150W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:150W; Pulse Current Idm:290A; SMD Marking:FZ48VS; Termination Type:SMD; Voltage Vds:60V; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)72 A
Current Rating72 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time166 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.985 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance12 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation150 W
Rise Time200 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time157 ns
Turn-On Delay Time7.6 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height4.957 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità