Infineon IRFSL3206PBF
$ 1.365
Obsolete
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-04-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2026-03-31
LTD Date2026-09-30
Parti correlate
InfineonIRFSL3207ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 3.3Milliohms;ID 170A;TO-262;PD 300W;VF 1.3V
InfineonAUIRF1405ZL
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package, TO262-3, RoHS
InfineonIRFSL3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO262 N-Channel 60 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
InfineonIRF1405LPBF
MOSFET N-CH 55V 131A TO262 N-Channel 55 V 131A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFSL3206PBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET N-CH 60V 120A TO262 N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
300W(Tc) 20V 4V@ 150µA 170nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 3mΩ@ 75A,10V 120A 6.54nF@50V TO-262 Through hole mounting 10.2mm*4.5mm*9.45mm
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Tendenza a 3 mesi: -6.35%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Current Rating210 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time83 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.54 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation300 W
Rds On Max3 mΩ
Rise Time82 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height15.1 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità