Infineon IRFS7430TRLPBF
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +198%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Parti correlate
InfineonAUIRFS8409
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFS7430PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRFS8408-7P
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTH410N4F7-2AG
Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-2 package
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFS7430TRLPBF fornite dai suoi distributori.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 40 V 1.2 mOhm 300 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive; Consumer Full-Bridge; Full-Bridge; Push-Pull
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +198%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance970 µΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance14.24 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.3 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation375 W
Rds On Max1.2 mΩ
Rise Time105 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.9 V
Turn-Off Delay Time160 ns
Turn-On Delay Time32 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità