Infineon IRFR3710ZTRLPBF
$ 0.765
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -11.30%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-07-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonAUIRFR3710Z
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
InfineonIRLR3110ZTRPBF
TAPE AND REEL / MOSFET, 100V, 63A, 14 mOhm, 34 nC Qg, Logic Level, D-Pak
STMicroelectronicsSTD47N10F7AG
Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFR3710ZTRLPBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 15Milliohms;ID 56A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 100 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 42 A, 0.015 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC; Lighting LED
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:56A; On Resistance, Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -11.30%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.93 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
On-State Resistance18 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation140 W
Rds On Max18 mΩ
Rise Time43 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height2.3876 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità