Infineon IRFP7718PBF
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Obsolete
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31
Parti correlate
InfineonIRFP2907PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 4.5Milliohms;ID 209A;TO-247AC;PD 470W;-55de
InfineonIRFP7530PBF
Power Field-Effect Transistor, 281A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFP7718PBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC N-Channel 75 V 195A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Trench MOSFET, 75V, 195 A, 1.8 Ohm, 553 nC, TO-220
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:75V; Continuous Drain Current Id:195A; On Resistance Rds(On):0.0018Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V Rohs Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance1.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time160 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance29.55 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation517 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.8 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation517 W
Rds On Max1.8 mΩ
Rise Time164 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time266 ns
Turn-On Delay Time58 ns
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità