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Infineon IRFP4127PBF

Single N-Channel 200 V 21 mOhm 100 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC
$ 2.83
Obsolete
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Newark
IRFP4127PBF
618
1
USD
3,320
3,320
3,320
3,320
3,320
Rochester Electronics
IRFP4127PBF
23.074
USD
2,170
1,940
1,820
1d
Arrow Electronics
IRFP4127PBF
7493
1
USD
3,992
3,365
2,960
2,830
2,830
Microchip USA
IRFP4127PBF
103
150
Tube
USD
17,024
17,024
3d
Win Source
WS-IRFP4127PBF
3740
16
USD
3,288
2,850
2,850
1d

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRFP4127PBF.

IHS

Datasheet10 pagine11 anni fa

element14 APAC

TME

Cronologia dell'inventario

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-03-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

Parti correlate

InfineonIRFP90N20DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 94A;TO-247AC;PD 580W;VGS +/-30V
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InfineonIRFP4321PBF
IRFP4321PBF N-channel MOSFET Transistor, 78 A, 150 V, 3-Pin TO-247AC
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N-channel 200 V, 0.019 Ω, 83 A, TO-247 low gate charge STripFET™2; Power MOSFET
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MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 330 W
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Single N-Channel 200 V 0.055 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
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Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRFP4127PBF fornite dai suoi distributori.

Single N-Channel 200 V 21 mOhm 100 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC
Future Electronics
MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC N-Channel 200 V 75A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247AC
Eurochip Technologies LTD
200V Discrete HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free TO-247AC Package, TUBE
Newark
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 200V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
IHS
MOSFET, N-CH, 200V, 75A, TO-247AC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 75A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.017ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
Farnell
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 75 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 200 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 17 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 22 / Rise Time ns = 18 / Turn-OFF Delay Time ns = 56 / Turn-ON Delay Time ns = 17 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-247 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 341
Distrelec

Immagini

Infineon
RS
TME
Newark
Rochester Electronics
Future Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRFP4127
  • SP001566148