Infineon IRFP3710PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.025 Ohm; Id 57A; TO-247AC; Pd 200W; Vgs +/-20V
$ 1.463
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Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRFP3710PBF.

Newark

Datasheet10 pagine20 anni fa
Datasheet9 pagine20 anni fa
Datasheet9 pagine27 anni fa

IHS

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+5.02%

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Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-10-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

InfineonIRFP150NPBF
Transistor MOSFET Negative Channel 100 Volt 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
InfineonIRFP150MPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M package, TO247-3, RoHS
InfineonIRFP140NPBF
MOSFET, Power; N-Channel; 0.052 Ohms (Max.) @ 10 V, 16 A; 100 V (Min.); 40 degC
Single N-Channel 100 V 0.055 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247
Single N-Channel 100 V 0.077 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247
Power MOSFET, General Purpose, P Channel, 100 V, 21 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Through Hole

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRFP3710PBF fornite dai suoi distributori.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.025Ohm;ID 57A;TO-247AC;PD 200W;VGS +/-20V
Single N-Channel 100 V 0.025 Ohm 190 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 57 A, 0.025 ohm, TO-247AC, Through Hole
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
N Channel Mosfet, 100V, 57A, To-247Ac; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:57A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFP3710PBF.
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRFP-3710
  • IRFP3710
  • IRFP3710PBF.
  • SP001552026