Infineon IRFN440
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRFN440.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFN440 fornite dai suoi distributori.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Compliant Surface Mount 51 ns 73 ns SMD/SMT 8 A 3 Production (Last Updated: 2 years ago)
500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package, SMD-1-3
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin SMD-1
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Body MaterialCeramic
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Current Rating8 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance950 mΩ
Fall Time51 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance900 mΩ
Power Dissipation125 W
Rise Time73 ns
Turn-Off Delay Time72 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSNon-Compliant
Dichiarazioni di conformità