Infineon IRFHS9351TRPBF
$ 0.39
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -65.72%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
InfineonIRFHS9301TRPBF
P CH MOSFET, -30V, -6A, 6-PQFN; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain
InfineonIRFHS8342TRPBF
INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew
InfineonIRFHM830TRPBF
Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFHS9351TRPBF fornite dai suoi distributori.
Dual P-Channel 30 V 170 mOhm 1.9 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm
-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 2mm x 2mm package, PG-TSDSON-6, RoHS
Infineon SCT
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 30V 3.4A 6-Pin PQFN T/R
INFINEON IRFHS9351TRPBF Dual MOSFET, Dual P Channel, -5.1 A, -30 V, 0.135 ohm, -10 V, -1.8 VNew
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
DUAL P CH, -30V, -2.3A, 6-PQFN; Transist; DUAL P CH, -30V, -2.3A, 6-PQFN; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id, P Channel:-2.3A; Drain Source Voltage Vds, P Channel:-30V; On Resistance Rds(on), P Channel:0.135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -65.72%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageVQFN
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance170 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time7.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance160 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Manufacturer Package IdentifierPG-TSDSON-6
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.8 V
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance170 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.4 W
Rds On Max170 mΩ
Rise Time30 ns
Threshold Voltage-1.8 V
Turn-Off Delay Time6.3 ns
Turn-On Delay Time8.3 ns
Dimensions
Height1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità