Infineon IRFH8337TRPBF
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Obsolete
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonIRFH8334TRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 14A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont
InfineonIRFH3702TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
InfineonIRFHM9331TRPBF
Single P-Channel 30 V 14.6 mOhm 32 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3 x 3 mm
InfineonIRFHM9331TR2PBF
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 3mm x 3mm package
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFH8337TRPBF fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 30 V 12.8 mOhm 10 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:12A; On Resistance Rds(On):0.0128Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V Rohs Compliant: Yes
Benefits: RoHS Compliant; Low Thermal Resistance to PCB (less than 1.3C/W); Low Profile (less than 1.2 mm); Industry-Standard Pinout; Qualified Industrial; Qualified MSL1 | Target Applications: Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Point of Load ControlFET
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time4.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance790 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation27 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance12.8 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.2 W
Rds On Max12.8 mΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time5.7 ns
Turn-On Delay Time6.4 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità