Infineon IRFH7084TRPBF
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Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
InfineonIRFH5300TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH5250TRPBF
Single N-Channel 25 V 1.75 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
InfineonIRFH7440TRPBF
Single N-Channel 40 V 2.4 mOhm 92 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFH7084TRPBF fornite dai suoi distributori.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 40 V 1.25 mOhm 127 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.00125 ohm, PQFN, Surface Mount
MOSFET, 40V, 100A, 1.25 MOHM, 129 NC QG, PQFN56
diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive; Consumer Full-Bridge; Full-Bridge; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Push-Pull
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageQFN EP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance950 µΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.56 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.25 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Rds On Max1.25 mΩ
Rise Time31 ns
Threshold Voltage3.9 V
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità