Infineon IRF9Z34NSTRLPBF
$ 1.031
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRF9Z34NSTRLPBF | 3884 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IRF9Z34NSTRLPBF | 9600 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | IRF9Z34NSTRLPBF | 475 | 1 | |||||||||
| DigiKey | IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND | 15.360 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF9Z34NSTRLPBF | 0 | 1600 | Bulk | 23h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +17.16%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF9Z34NSTRLPBF.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-08-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
onsemiNTB18N06T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 15A Tc 15A 48.4W 13ns
InfineonIRLZ24NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID 18A;D2Pak;PD 45W;VGS +/-16V;Qg 15
InfineonIRLZ24NSPBF
In a Tube of 50, IRLZ24NSPBF N-Channel MOSFET, 18 A, 55 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
STMicroelectronicsSTB16NF06LT4
N-channel 60 V, 0.07 Ohm typ., 16 A STripFET II Power MOSFET in D2PAK package
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF9Z34NSTRLPBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK / Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Single P-Channel 55V 0.1 Ohm 35 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
MOSFET, P-CHANNEL, -55V, 19A, 100 MOHM,23.3 NC QG, D2-PAK
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current, Id:19A; On Resistance, Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:D2-Pak; Power Dissipation, Pd:68W ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -19 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 100 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 41 / Rise Time ns = 55 / Turn-OFF Delay Time ns = 30 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 68
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Tendenza a 3 mesi: +17.16%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Current Rating-19 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance620 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation68 W
Manufacturer Package IdentifierIRF9Z34NSTRLPBF
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance100 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time55 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)-55 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità