Infineon IRF7807TRPBF
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-12-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2013-10-03
LTD Date2014-04-03
Parti correlate
STMicroelectronicsSTS10DN3LH5
Dual N-Ch MOSFET, 30V, 10A, 21mΩ@5A,10V, 475pF@25V, 2.5W, 22V, 1V@250µA, 4.6nC@5V, SOIC-8, SMD
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF7807TRPBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 17 Milliohms;ID 8.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
Single N-Channel 30 V 25 mOhm 17 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
2.5W(Ta) 12V 1V@ 250µA 17nC@ 5 V 1individualNChannel 30V 25mΩ@ 7A,4.5V SOIC-8 SMD mount
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low Switching Losses; Low Conduction Losses
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MURATA - GRM31CE70J476ME15L - Condensador de Cerámica Multicapa, 47 µF, 6.3 V, 1206 [Métrica 3216], ± 20%, X7U, Serie GRM
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:8.3A; On Resistance, Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Package/Case:8-SO ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.3 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance25 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max25 mΩ
Resistance25 MΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità