Infineon IRF7580MTRPBF
$ 1.486
Obsolete
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Tendenza a 3 mesi: -14.29%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-02-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30
Parti correlate
InfineonIRFS3206TRRPBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
onsemiFDMS030N06B
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor FDMS030N06B
InfineonIRFH7085TRPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIPB120N06S403ATMA2
60V, N-Ch, 2.8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
onsemiFDMC86570LET60
PT7 N-ch 60/20V Power Trench MOSFET - 8LD, PQFN, POWERCLIP SINGLE, JEDEC, MO-240, 3.3X3.3 MM
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF7580MTRPBF fornite dai suoi distributori.
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ME Package, MG-WDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60 V 2.9 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
MOSFET, N-CH, 60V, 114A, DIRECTFET ME; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 114A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.00; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Tendenza a 3 mesi: -14.29%
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins10
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)114 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.51 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.6 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation115 W
Rds On Max3.6 mΩ
Rise Time38 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height700 µm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità