Infineon IRF7463TRPBF
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7463TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 3h | |||||||
| Farnell | IRF7463TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 11h | |||||||
| Win Source | WS-IRF7463TRPBF | 33.250 | 150 | 11h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF7463TRPBF | 10.617 | 7 | Tape & Reel | 9h | |||||||
| ICPartonline | IRF7463TRPBF | 20.186 | >1wk |
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-01-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonIRF7455TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID 15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;gFS 4
InfineonIRF8113GPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 17.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Co
InfineonIRF7822TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5 Milliohms;ID 18A;SO-8;PD 3.1W;VGS +/-12V
InfineonIRF7809AVTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF7463TRPBF fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 30 V 8 mOhm 51 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:14A; On Resistance, Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Current Rating14 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time6.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance3.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8 mΩ
Resistance8 MΩ
Rise Time138 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità