Infineon IRF5802TR
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Parti alternative
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF5802TR fornite dai suoi distributori.
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP / N-Channel 150 V 900mA (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:150V; Continuous Drain Current, Id:900mA; On-Resistance, Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:6-TSOP; Drain-Source Breakdown Voltage:150V RoHS Compliant: No
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)900 mA
Current Rating900 mA
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)150 V
Forward Voltage1.3 V
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance88 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time1.6 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
RoHSNon-Compliant
Dichiarazioni di conformità