Infineon IRF5305STRRPBF
$ 0.783
Obsolete
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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -57.14%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF5305STRRPBF.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-04-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15
Parti correlate
InfineonIRF5305SPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -31A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTB45NF06T4
N-channel 60 V, 0.22 Ohm typ., 38 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
InfineonIRLZ34NSTRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF5305STRRPBF fornite dai suoi distributori.
Single P-Channel 55 V 60 mOhm 42 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
3.8W(Ta)£¬110W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 63nC@ 10 V 1individualPChannel 55V 60m¦¸@ 16A,10V 31A 1.2nF@25V D2PAK SMD mount 6.5mm*6.22mm*2.3mm
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-55V; Continuous Drain Current, Id:-31A; On Resistance, Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -57.14%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time63 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance60 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max60 mΩ
Rise Time66 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF5305STRRPBF.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità