Infineon IRF5305STRLPBF
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-04-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Parti correlate
InfineonIRF5305SPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -31A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTB45NF06T4
N-channel 60 V, 0.22 Ohm typ., 38 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
InfineonIRLZ34NSTRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF5305STRLPBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -31A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
Single P-Channel 55V 0.06 Ohm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK / Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
P Channel Mosfet, -55V, 31A, D2-Pak; Tra |Infineon Technologies IRF5305STRLPBF.
P CHANNEL MOSFET, -55V, 31A, D2-PAK; TRA; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-31A;
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Current Rating-31 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time63 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance60 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max60 mΩ
Resistance60 mΩ
Rise Time66 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)-55 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità