Infineon IRF40R207
$ 0.376
NRND
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -20.77%
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0 parti disponibili
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-04-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMTH4007LK3-13
2.6W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 29.1nC@ 10 V 1N 40V 7.3m¦¸@ 20A,10V 16.8A,70A 1.895nF@30V TO-252-3
Diodes Inc.DMTH4007LK3Q-13
Mosfet, N-Ch, 40V, 70A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH4007LK3Q-13
InfineonIRFR7446TRPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package, DPAK-3, RoHS
InfineonIRFR7446PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF40R207 fornite dai suoi distributori.
TAPE AND REEL / MOSFET, 40V, 56A, 5.1 mOhm, 45 nC Qg, TO-220AB
MOSFET N-CH 40V 56A TO252 / N-Channel 40 V 56A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Single N-Channel 40 V 5.1 mOhm 45 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N-CH, 40V, 90A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -20.77%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance5.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.11 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance5.1 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation83 W
Rds On Max5.1 mΩ
Resistance5.1 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time7.8 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità