Infineon IRF2907ZS-7PPBF
$ 5.99
Obsolete
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-08-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTH240N75F3-6
N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-6 package
InfineonIRFS7734-7PPBF
MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK / N-Channel 75 V 197A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
InfineonIRFS7734TRL7PP
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Lead package, D2PAK7P, RoHS
STMicroelectronicsSTH250N55F3-6
N-channel 55 V, 2.2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III Power MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF2907ZS-7PPBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 3 Milliohms;ID 160A;D2Pak;PD 300W;VGS +/-20V
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-lead D2-Pak Package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Trans MOSFET N-CH 75V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:75V; Continuous Drain Current, Id:160A; On Resistance, Rds(on):3.8mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)160 A
Current Rating160 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance3.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Dual Supply Voltage75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time44 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.58 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.8 mΩ
Package Quantity3000
PackagingBulk
Power Dissipation300 W
Rds On Max3.8 mΩ
Recovery Time53 ns
Resistance4.5 MΩ
Reverse Recovery Time35 ns
Rise Time90 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time92 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.3378 mm
Width10.05 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità