Infineon IPZ65R019C7XKSA1
$ 12.595
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.24%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPZ65R019C7XKSA1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTW88N65M5-4
N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A, MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 package
onsemiFCH023N65S3L4
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 75 A, 23 mΩ, TO-247 4lead
onsemiFCH041N65EFL4
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 41 mΩ, TO-247 4L
STMicroelectronicsSTW69N65M5-4
N-channel 650 V, 0.037 Ohm typ., 58 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 package
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPZ65R019C7XKSA1 fornite dai suoi distributori.
N-Channel 600 V 75 A 466 W 19 mOhm Through Hole Mosfet - PG-TO247-4
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 650V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 650V, 75A, To-247-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.017Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPZ65R019C7XKSA1
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.24%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-4
MountThrough Hole
Number of Terminals4
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Resistance19 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.9 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation446 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance19 mΩ
Package Quantity240
PackagingRail/Tube
Power Dissipation446 W
Rds On Max19 mΩ
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time106 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità