Infineon IPW65R019C7FKSA1
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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500KW 20V 4.5V 300nC@ 10V 1N 700V 41m¦¸@ 10V 68.5A 8.4nF@ 100V TO-247 25.57mm
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STW78N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 69 A, 710 V, 3-PIN TO-247
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPW65R019C7FKSA1 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET N-Channel 700V 75A 3-Pin TO-247 Tube
446W(Tc) 20V 4V@2.92mA 215nC@ 10 V 1N 650V 19m¦¸@ 58.3A,10V 496A 9.9nF@400V TO-247 25.57mm
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 650V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 650V, 75A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 75A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V;
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +96.44%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Resistance19 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.9 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation446 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance19 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation446 W
Rds On Max19 mΩ
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time106 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità