Infineon IPT030N12N3GATMA1

Name: Infineon IPT030N12N3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPT030N12N3GATMA1

Mosfet, N-Ch, 120V, 237A, Hsof Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT030N12N3GATMA1

$ 2.88

Production

Pagina del produttore

Prezzo e stock

Distributori autorizzati

Distributori di stock non autorizzati

Rivenditori non autorizzati

Vedi tutte le interruzioni di prezzo

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPT030N12N3GATMA1	1438	1	Cut Tape	6,570	4,560	3,320	3,160	3,160
Arrow Electronics		IPT030N12N3GATMA1	2000	1		3,670	3,233	2,839	2,839	2,839
Rutronik		TMOS3652	2000	2K						2,280	19m
Rochester Electronics		IPT030N12N3GATMA1	22.185					2,430	2,180	2,050	17h
DigiKey	3	448-IPT030N12N3GATMA1CT-ND	4868	1	Cut Tape	6,630	4,449	3,213	2,988	2,988

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: +5.49%

Modelli CAD

Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP

Parti alternative

0 parti disponibili

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPT030N12N3GATMA1.

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:

+5.49%

Powered by

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IPT030N12N3GATMA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTE	eCAD	mCAD	FILE
EE Concierge	SimboloImpronta
Ultra Librarian	SimboloImpronta		Scarica

Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD

Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-11-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPT030N12N3GATMA1 fornite dai suoi distributori.

Mosfet, N-Ch, 120V, 237A, Hsof Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT030N12N3GATMA1

Newark

Power MOSFET, N Channel, 120 V, 237 A, 0.0025 ohm, HSOF, Surface Mount

Avnet

Trans MOSFET N-CH 120V 24A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 237A I(D), 120V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Infineon NMOS OptiMOS, Vds=120 V, 237 A, HSOF-8, , 8

UnikeyIC

2.4 mm 3.8 W 1 21.2 ns 51.8 ns 175 °C -55 °C 2.5 mΩ

Augswan

The IPT030N12N3 G is the ideal fit for battery-powered equipment, with optimal balance between additional voltage breakdown margin and low on-state resistance (RDS(on)). Infineon’s OptiMOS™ power MOSFET 120 V technology meets TO-Leadless package, optimized for high-current applications. The TOLL package is the perfect solution for high power density applications that benefit from 30 percent smaller footprint compared to D2PAK 7-pin and lower package inductances.

Infineon

Immagini

RS

LZChips

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi: