Infineon IPT014N08NM5ATMA1
$ 2.768
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPT014N08NM5ATMA1 | 18 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | IPT014N08NM5ATMA1 | 434.508 | 23h | |||||||||
| DigiKey | 448-IPT014N08NM5ATMA1CT-ND | 1998 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IPT014N08NM5ATMA1 | 0 | 2K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | IPT014N08NM5ATMA1 | 0 | 2K | 2d |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPT014N08NM5ATMA1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-12-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPT014N08NM5ATMA1 fornite dai suoi distributori.
Mosfet, N-Ch, 331A, Hsof Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT014N08NM5ATMA1
300W(Tc) 3.8V@ 280¦ÌA 200nC@ 10 V 1N 80V 1.4m¦¸@ 150A,10V 331A 14nF@40V HSOF-8-1
Trans MOSFET N-CH 80V 37A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
The IPT014N08NM5 is Infineon’s OptiMOS™ power MOSFET 1.4 mOhm, 80 V in a TO-Leadless (TOLL) package with a high current capability of 331 A (ID @25 ˚C).Infineon’s OptiMOS™ 5 silicon technology of power MOSFETs is especially designed for synchronous rectification for telecom and server power supplies. Combined with the TOLL package, IPT014N08NM5 is optimized for battery-powered applications, including LV drives, drones, and e-bikes.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingTin
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)331 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance1.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Manufacturer Package IdentifierPG-HSOF-8
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Turn-Off Delay Time61 ns
Turn-On Delay Time32 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità