Infineon IPP65R125C7XKSA1
$ 2.002
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Tendenza a 3 mesi: -5.99%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Supply Chain
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP28N65M2
N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP31N65M5
N-channel 650 V, 0.124 Ohm, 22 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPP65R125C7XKSA1 fornite dai suoi distributori.
N-Channel 650 V 18 A 101 W 111 mOhm Through Hole Mosfet - PG-TO220-3
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
INFINEON IPP65R125C7Power MOSFET, N Channel, 18 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3.5 V
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 650V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 650V, 18A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 18A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V; P
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -5.99%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.67 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation101 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance125 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation101 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time71 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità