Infineon IPP60R190P6XKSA1

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220, Through Hole
$ 1.14
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DistributorSKUMinPkg
NewarkIPP60R190P6XKSA18101
Arrow Electronics
3
IPP60R190P6XKSA19431
Rochester ElectronicsIPP60R190P6XKSA195
18h
DigiKey448-IPP60R190P6XKSA1-ND10.3841Tube
AvnetIPP60R190P6XKSA1050
21h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPP60R190P6XKSA1.

IHS

Datasheet19 pagine0 anni fa

Newark

Cronologia dell'inventario

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Supply Chain

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Parti correlate

onsemiFCP260N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 15 A, 260 mΩ, TO-220
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InfineonIPP60R199CPXKSA1
139W 20V 2.5V 32nC@ 10V 1N 650V 199m¦¸@ 10V 16A 1.52nF@ 100V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm
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InfineonIPP60R160P6XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 20.6 A, 190 mΩ, TO-220
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Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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onsemiFCP190N60
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600V, 20.2A, 199mΩ, TO-220
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPP60R190P6XKSA1 fornite dai suoi distributori.

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220, Through Hole
EBV Elektronik
Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
Infineons CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS™ P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.
Infineon
MOSFET, N-CH, 600V, 20.2A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20.2A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.171ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
Farnell
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 20.2 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 600 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 190 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 7 / Rise Time ns = 8 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 15 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 151
Distrelec

Immagini

Augswan
Newark
TME
LZChips
Distrelec
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPP60R190P6
  • SP001017066